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SiC Properties

 

Silicon Carbide Material properties

 

    2H-SiC[1] 4H-SiC[1] 6H-SiC[1]
m0^c,n cm/Vs2 1000[7] 947[2] 415[2]
m0||c,n cm/Vs2 1650[7] 1140[7] 86[7]
m0^c,p cm/Vs2   120[2] 95[2]
m0||c,p cm/Vs2   100[7] 456[7]

g Low Field

  0.61 0.83 4.8
gHigh Field   0.81 1.1 4.3

vsat^c

cm/s 2.1 2.1 2.0
vsat||c cm/s 2.6 1.8 6.0
b^c   0.9 0.84 0.9
b||c   0.9 1.0 1.4
NC300 cm-3 3.40.1018 5.39.1018 2.31.1019
NV300 cm-3   7.97.1019  
EAB1 eV   0.182[4] 0.094[6]
EAB2 eV     0.118[6]
EDB1 eV   0.0489[4]  
EDB2 eV   0.082[4]  
EG eV 3.33[5] 3.23 2.96[3]
meff        
tn ps   0.03 0.04
tp ps      
trel,n ps      
trel,p ps      

Anisotropic simulation at 300K

300K 2H-SiC 4H-SiC 6H-SiC
n[1] p n[1] p n[1] p
||c vsat cm/s 2.6.107 1.7.107 6.106
b 1.0 1.1 1.4
g^ 0.81 0.83 4.3
^c vsat cm/s 2.1.107 2.1.107 2.0.107
b 0.95 0.84 0.9
g|| 1.24 1.205 0.23

Anisotropic simulation at 500K

500K 2H-SiC 4H-SiC 6H-SiC
n[1] p n[1] p n[1] p
||c vsat cm/s
b
g^
^c vsat cm/s
b
g||

Anisotropic simulation at 600K

600K 2H-SiC 4H-SiC ???? 6H-SiC
n[1] p n[1] p n[1] p
||c vsat cm/s 2.0.107 5.106
b 0.9 1.2
g^ 0.83 4.3
^c vsat cm/s 1.3.107 1.9.107
b 1.4 1.1
g|| 1.205 0.23

mn=f(N), T=300K

N 2H-SiC 4H-SiC 6H-SiC
m||c m^c m||c m^c[2] m||c m^c[2]
1.1015 1610 1190 1090 900 85 410
3.1015 1540 1140 1030 860 84 405
1.1016 1450 1070 970 810 83 400
3.1016 1270 940 850 710 79 380
1.1017 1000 740 670 560 69 330
3.1017 840 620 560 470 58 280
1.1018 470 340 310 260 46 220
3.1018 270 200 180 150 31 150
1.1019 140 110 100 80 19 90
3.1019 90 70 60 50 12 60
1.1020 45 30 30 25 6 30

mp=f(P), T=300K

P 2H-SiC 4H-SiC 6H-SiC
m||c m^c m||c m^c[2] m||c m^c[2]
1.1015       120   95
3.1015       118   94
1.1016       116   92
3.1016       112   88
1.1017       108   84
3.1017       102   80
1.1018       94   74
3.1018       86   66
1.1019       75   58
3.1019       66   52
1.1020       56   42

mn=f(N), T=600K

N 2H-SiC 4H-SiC 6H-SiC
m||c m^c m||c m^c m||c m^c
1.1015            
3.1015            
1.1016            
3.1016            
1.1017            
3.1017            
1.1018            
3.1018            
1.1019            
3.1019            
1.1020            

mp=f(P), T=600K

P 2H-SiC 4H-SiC 6H-SiC
m||c m^c m||c m^c[2] m||c m^c[2]
1.1015       120   95
3.1015       118   94
1.1016       116   92
3.1016       112   88
1.1017       108   84
3.1017       102   80
1.1018       94   74
3.1018       86   66
1.1019       75   58
3.1019       66   52
1.1020       56   42

[1]   Monte Carlo Simluations

[2]     Schaffer

[3]     Fröjd

[4]     Lindfeldt

[5]     Clas Person

[6]     R.Mickevicius

[7]     Calculated form other parameters

 

 

 

 
Kent Bertilsson

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